Halbleitervorrichtung mit Trench-Gate-Struktur und Verfahren zu deren Herstellung
EP4328974
Art A1
28. Februar 2024
Anmelder: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4328974
- Aktenzeichen
- EP23152376
- Anmeldetag
- 19. Januar 2023
- Veröffentlichung
- 28. Februar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L29/739H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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