Eingabe-/ausgabe-Referenzspannungstrainingsverfahren in Dreidimensionalen Speichervorrichtungen
EP4332967
Art B1
18. September 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4332967
- Aktenzeichen
- EP22213766
- Anmeldetag
- 15. Dezember 2022
- Veröffentlichung
- 18. September 2024
- Erteilung
- 18. September 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C5/14G11C16/04G11C16/30G11C16/32G11C7/10// G11C16/10G11C16/26H10B43/27
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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