Verfahren zur Programmierung einer Mehrebenen-Speichervorrichtung
EP4332973
Art B1
14. Mai 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4332973
- Aktenzeichen
- EP24152294
- Anmeldetag
- 20. Februar 2020
- Veröffentlichung
- 14. Mai 2025
- Erteilung
- 14. Mai 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/34G11C5/02G11C7/10G11C8/12G11C11/56G11C16/04G11C16/08G11C16/10G11C16/24G11C29/50G11C29/00G11C29/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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