Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur
EP4333023
Art B1
11. März 2026
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4333023
- Aktenzeichen
- EP22942970
- Anmeldetag
- 10. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 11. März 2026
- Erteilung
- 11. März 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00G11C11/403
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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