Ggnmos-Transistorstruktur und Esd-Schutzkomponente und Schaltung
EP4333077
Art A1
6. März 2024
Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4333077
- Aktenzeichen
- EP22841112
- Anmeldetag
- 15. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 6. März 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L27/02H01L29/06H01L21/336H01L29/739
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
CSMC Technologies Fab2
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.
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Fachgebiete
Kanzlei
Reyda IP
Issy-les-Moulineaux, Frankreich
Reyda IP mit Sitz in Issy-les-Moulineaux, gegründet von der europäischen Patentanwältin Simin Dai. Berät zu Patenten (Ausarbeitung, Anmeldung, Recherchen), Marken, Designs sowie zu Streitverfahren im geistigen Eigentum.
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Patente gesamt
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Patentanwälte
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Standorte