Verfahren zum Züchten einer Galliumoxidschicht auf einem Substrat und Halbleiterwafer
EP4335949
Art A1
13. März 2024
Anmelder: Siltronic AG, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung im Forschungsverbund Berlin e.V. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4335949
- Aktenzeichen
- EP22194558
- Anmeldetag
- 8. September 2022
- Veröffentlichung
- 13. März 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/02C23C16/02C23C16/40C23C16/455C30B25/18C30B25/20C30B27/00C30B29/16C30B33/02C30B35/00H01L21/02C30B25/14C30B25/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Siltronic AG
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung im Forschungsverbund Berlin e.V. - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
281 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.