Impulsgenerator, Fehlerprüfungs- und Scrub-Schaltung und Speicher

EP4336508 Art B1 17. Dezember 2025

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4336508
Aktenzeichen
EP22924579
Anmeldetag
12. August 2022
Veröffentlichung
17. Dezember 2025
Erteilung
17. Dezember 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G11C29/02G11C29/52H03K3/017// G11C7/04G11C11/406G11C29/04G11C29/46
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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