Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür

EP4336567 Art A1 13. März 2024

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4336567
Aktenzeichen
EP22782647
Anmeldetag
8. August 2022
Veröffentlichung
13. März 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L21/768H01L29/10H01L29/423H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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