Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur und Halbleiterstruktur
EP4340563
Art A1
20. März 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4340563
- Aktenzeichen
- EP22836479
- Anmeldetag
- 15. Februar 2022
- Veröffentlichung
- 20. März 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00H01L21/336H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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