In einer P-Wanne in einer Tiefen N-Wanne in einem P-Substrat Gebildetes Nichtflüchtiges Speicherzellen-Array

EP4341935 Art B1 25. Juni 2025

Anmelder: SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4341935
Aktenzeichen
EP21786653
Anmeldetag
2. September 2021
Veröffentlichung
25. Juni 2025
Erteilung
25. Juni 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/30G11C16/08G11C16/16// G11C5/02G11C5/14G11C8/08G11C11/54G11C16/04G11C29/12
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Silicon Storage Technology

Silicon Storage Technology ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf nichtflüchtige Speichertechnologien spezialisiert ist und zu Microchip Technology gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Datenspeicherung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software. Anmeldungen laufen durchgehend seit 2000.

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