Randabschlussregion für ein Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP4343853 Art A1 27. März 2024

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4343853
Aktenzeichen: EP23157662
Anmeldetag: 21. Februar 2023
Veröffentlichung: 27. März 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/739H01L29/06H01L29/40// H01L21/331

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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🇯🇵 Toshiba Electronic Devices & Storage

Toshiba Electronic Devices & Storage ist eine Tochtergesellschaft des japanischen Toshiba-Konzerns für Halbleiterbauelemente und Speicherprodukte. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente, ergänzt um Mess- und Prüftechnik sowie Software und Telekommunikation. Die Anmeldungen betreffen überwiegend Halbleiterbauelemente und zugehörige Steuerschaltungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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