Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür

EP4344385 Art B1 18. Juni 2025

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4344385
Aktenzeichen
EP22922574
Anmeldetag
17. August 2022
Veröffentlichung
18. Juni 2025
Erteilung
18. Juni 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H10B12/00H10D30/67
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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