Verbindungsstrukturen für Integrierte Schaltungen mit Niobium-Barrierematerialien
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4345868
- Aktenzeichen
- EP23187406
- Anmeldetag
- 25. Juli 2023
- Veröffentlichung
- 10. April 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/532
Abstract
Integrated circuit interconnect structures including a niobium-based barrier material. In some embodiments, a layer of essentially niobium may be sputter deposited, for example to a thickness of less than 8 nm at a bottom of an interconnect via. A copper-based fill material may then be deposited over the niobium barrier material. Integrated circuit interconnect metallization may comprise some layers of metallization that have a tantalum-based barrier and other layers of metallization that have a niobium-based barrier.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Fachgebiete
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.