Herstellung von Metall-Gate-Schnitten mit mehreren Durchgängen zur Tiefensteuerung

EP4345878 Art B1 31. Dezember 2025

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4345878
Aktenzeichen
EP23191474
Anmeldetag
15. August 2023
Veröffentlichung
31. Dezember 2025
Erteilung
31. Dezember 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H10D30/01H10D30/67H10D62/17H10D84/03// B82Y10/00H10D62/10H10D84/01H10D84/83
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
INTEL Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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