Trench-Gate-Nmos-Transistor und Trench-Gate-Pmos-Transistor, die Monolithisch in einem Halbleiterchip Integriert Sind

EP4345882 Art A1 3. April 2024

Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4345882
Aktenzeichen: EP23197701
Anmeldetag: 15. September 2023
Veröffentlichung: 3. April 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8238H01L27/092H01L29/78H01L29/417// H01L29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies Austria AG
Land: 🇦🇹 Österreich

🇦🇹 Infineon Technologies Austria

Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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