Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit einer Nutzschicht aus Siliciumcarbid mit Verbesserten Elektrischen Eigenschaften

EP4348701 Art B1 25. Juni 2025

Anmelder: SOITEC, Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4348701
Aktenzeichen: EP22731276
Anmeldetag: 25. Mai 2022
Veröffentlichung: 25. Juni 2025
Erteilung: 25. Juni 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/18H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SOITEC
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von