Stromversorgungsschaltung und Speicher
EP4350921
Art B1
23. Juli 2025
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4350921
- Aktenzeichen
- EP22940945
- Anmeldetag
- 1. September 2022
- Veröffentlichung
- 23. Juli 2025
- Erteilung
- 23. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C5/14G11C7/12H02J7/00G05F1/575G05F1/59// H03K19/20G11C11/4074G11C11/4094
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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