Auf Speicher Angewandte Schreibnivellierungsschaltung sowie Steuerungsverfahren und Steuerungsvorrichtung für Schreibnivellierungsschaltung
EP4354437
Art A1
17. April 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4354437
- Aktenzeichen
- EP22940936
- Anmeldetag
- 17. November 2022
- Veröffentlichung
- 17. April 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C29/02G11C11/4063G11C7/10G11C7/22G11C11/4076G11C11/4096G11C29/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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