Auf Metall-Diamant-Verbundstoff Basierendes Hochfrequenzwellenleitergehäuse

EP4356476 Art B1 28. Januar 2026

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4356476
Aktenzeichen: EP22738167
Anmeldetag: 10. Juni 2022
Veröffentlichung: 28. Januar 2026
Erteilung: 28. Januar 2026
Rechtsraum: EP
IPC: H01P1/04H01P1/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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