Halbleiterstruktur, Verfahren zu Ihrer Herstellung und Speicher
EP4358134
Art A1
24. April 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4358134
- Aktenzeichen
- EP22945114
- Anmeldetag
- 9. Oktober 2022
- Veröffentlichung
- 24. April 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/065H01L21/56H01L21/683H01L23/00H01L25/18H01L25/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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