Verfahren zur Herstellung von Strahlungsgehärteten Heteroübergangsphotodioden

EP4358156 Art A1 24. April 2024

Anmelder: THALES, Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4358156
Aktenzeichen: EP23204117
Anmeldetag: 17. Oktober 2023
Veröffentlichung: 24. April 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/0304H01L27/146H01L31/105

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: THALES
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Thales

Französischer Technologiekonzern mit Sitz in Paris, aktiv in Luft- und Raumfahrt, Verteidigungstechnik, Sicherheitstechnologie sowie Bahn- und Kommunikationssystemen für zivile und militärische Anwendungen.

3.469 Patente in unserer Datenbank

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.929 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von