Dielektrische Schicht mit Niedriger Spannung, Planarisierungsverfahren und Niedrigtemperaturverarbeitung für 3D-Integrierte Elektrische Vorrichtung

EP4364207 Art A1 8. Mai 2024

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4364207
Aktenzeichen: EP22726565
Anmeldetag: 28. April 2022
Veröffentlichung: 8. Mai 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/146H01L31/18H01L31/0224

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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