Dreidimensionale Speichervorrichtungen und Verfahren zur Formung davon
EP4367666
Art B1
26. März 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4367666
- Aktenzeichen
- EP22814281
- Anmeldetag
- 23. September 2022
- Veröffentlichung
- 26. März 2025
- Erteilung
- 26. März 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/26H10B43/27H10B43/50H10B43/10H10B43/35H10B41/10H10B41/27H10B41/35
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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