Transistor mit Integriertem Kurzschlussschutz
EP4369414
Art A3
14. August 2024
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4369414
- Aktenzeichen
- EP23198226
- Anmeldetag
- 19. September 2023
- Veröffentlichung
- 14. August 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/49H01L29/78H01L29/861
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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