Kristalliner Inzno-Oxidhalbleiter, Verfahren zur Herstellung davon und Halbleiterbauelement mit dem Kristallinen Inzno-Oxidhalbleiter

EP4375400 Art A1 29. Mai 2024

Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd., IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY) 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4375400
Aktenzeichen: EP23211660
Anmeldetag: 23. November 2023
Veröffentlichung: 29. Mai 2024
Rechtsraum: EP
IPC: C30B25/14C23C16/40C23C16/455C30B25/16C30B29/22H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Samsung Electronics Co., Ltd.
IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY)
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Samsung Electronics

Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.

71.857 Patente in unserer Datenbank

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)

Die IUCF-HYU verwaltet Forschungsergebnisse und Patente der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um anorganische Chemie und Software. Anmeldungen reichen von 2002 bis 2025.

503 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von