Speicherzelle, 3D-Speicher und Herstellungsverfahren dafür sowie Elektronische Vorrichtung

EP4380330 Art A1 5. Juni 2024

Anmelder: Beijing Superstring Academy of Memory Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4380330
Aktenzeichen: EP22955194
Anmeldetag: 7. Dezember 2022
Veröffentlichung: 5. Juni 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H10B12/00H10D30/67// G11C11/403G11C11/408G11C8/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Beijing Superstring Academy of Memory Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

255 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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