Photodiode mit Isolierschicht Entlang der Seitenwand einer Intrinsischen Region

EP4383334 Art A1 12. Juni 2024

Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4383334
Aktenzeichen: EP23197836
Anmeldetag: 18. September 2023
Veröffentlichung: 12. Juni 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/146H01L31/105H01L31/028H01L31/0352

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: GlobalFoundries U.S. Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 GlobalFoundries U.S.

US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.

230 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von