Speichersystem und dessen Betrieb
EP4384917
Art B1
25. September 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4384917
- Aktenzeichen
- EP22802497
- Anmeldetag
- 18. Oktober 2022
- Veröffentlichung
- 25. September 2024
- Erteilung
- 25. September 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F12/02G06F12/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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