On-Chip Emf Isolation einer Integrierten Schaltung Gekoppelt mit einem Photoleitenden Halbleiterschalter unter einem On-Chip Faraday Käfig
EP4388588
Art A1
26. Juni 2024
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4388588
- Aktenzeichen
- EP22765688
- Anmeldetag
- 18. August 2022
- Veröffentlichung
- 26. Juni 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/552H01L27/144
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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