Halbleiterstruktur und Verfahren zu Ihrer Herstellung

EP4391034 Art B1 13. August 2025

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4391034
Aktenzeichen
EP22940942
Anmeldetag
10. November 2022
Veröffentlichung
13. August 2025
Erteilung
13. August 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/768H01L23/538H10B41/10H10B41/27H10B43/27H10B43/10H10D1/68H10B12/00H10D64/27
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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