Transistor Hoher Dichte und Verdrahtungsgassenarchitektur
EP4391054
Art A1
26. Juni 2024
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4391054
- Aktenzeichen
- EP23194228
- Anmeldetag
- 30. August 2023
- Veröffentlichung
- 26. Juni 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/02H01L21/8234H01L21/8238H01L23/528// H01L27/118
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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