Rückwärtsleitender Bipolarer Transistor mit Isoliertem Gate und Verfahren zur Herstellung eines Rückwärtsleitenden Bipolaren Transistors mit Isoliertem Gate

EP4394883 Art A1 3. Juli 2024

Anmelder: Hitachi Energy Ltd 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4394883
Aktenzeichen: EP22217365
Anmeldetag: 30. Dezember 2022
Veröffentlichung: 3. Juli 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/08H01L29/06H01L29/739H01L21/331// H01L29/417H01L29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Energy Ltd
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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