Schaltung zur Reduzierung von Gate-Induziertem Drain-Leckstrom
EP4395175
Art A1
3. Juli 2024
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4395175
- Aktenzeichen
- EP23217504
- Anmeldetag
- 18. Dezember 2023
- Veröffentlichung
- 3. Juli 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/06G11C27/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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