Ausgangstreiber mit Leistungsangepasstem Leistungs-Gating
EP4396818
Art A1
10. Juli 2024
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4396818
- Aktenzeichen
- EP22865249
- Anmeldetag
- 28. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 10. Juli 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/4096G11C11/4074G11C7/10G11C11/4093G11C29/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Fachgebiete
Vertreten von
Pio, Federico
Milano, Italien
234
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12
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2
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