Speicherarraystrukturen mit mehreren Subblöcken, Vorrichtung mit Solchen Speicherarraystrukturen und Betrieb Solch einer Vorrichtung
EP4397151
Art A1
10. Juli 2024
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4397151
- Aktenzeichen
- EP22865317
- Anmeldetag
- 25. August 2022
- Veröffentlichung
- 10. Juli 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/10H10B43/27G11C16/04G11C16/10G11C16/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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