Speicherarraystrukturen mit mehreren Subblöcken, Vorrichtung mit Solchen Speicherarraystrukturen und Betrieb Solch einer Vorrichtung

EP4397151 Art A1 10. Juli 2024

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4397151
Aktenzeichen
EP22865317
Anmeldetag
25. August 2022
Veröffentlichung
10. Juli 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H10B43/10H10B43/27G11C16/04G11C16/10G11C16/34
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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