Siliciumnitridsinterkörper Hoher Wärmeleitfähigkeit, Siliciumnitridsubstrat, Siliciumnitridleiterplatte und Halbleiterbauelement

EP4397642 Art A1 10. Juli 2024

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4397642
Aktenzeichen: EP22864564
Anmeldetag: 30. August 2022
Veröffentlichung: 10. Juli 2024
Rechtsraum: EP
IPC: C04B35/587H05K1/03C04B35/64C09K5/14H01L23/373

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba
Toshiba Materials Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.642 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Toshiba Materials

Toshiba Materials ist eine japanische Tochtergesellschaft des Toshiba-Konzerns, spezialisiert auf keramische und magnetische Werkstoffe. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie anorganische Chemie und Werkstoffe, ergänzt um Metallurgie. Anmeldungen erstrecken sich über die Jahre 2004 bis 2024.

411 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Elektronik & Schaltungstechnik Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von