Zusammensetzung zur Bildung eines Schutzfilms für die Waferkante zur Halbleiterherstellung

EP4398035 Art A1 10. Juli 2024

Anmelder: Nissan Chemical Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4398035
Aktenzeichen: EP22864676
Anmeldetag: 1. September 2022
Veröffentlichung: 10. Juli 2024
Rechtsraum: EP
IPC: G03F7/027G03F7/038G03F7/20G03F7/38G03F7/40H01L21/312G03F7/004G03F7/075G03F7/16H01L21/02H01L21/304H01L21/308H01L21/3105H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Nissan Chemical Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

2.124 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von