Struktur mit Vergrabenem Dotiertem Bereich zur Kopplung des Source-Leitungskontakts an die Gate-Struktur einer Speicherzelle

EP4398311 Art A1 10. Juli 2024

Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4398311
Aktenzeichen: EP23190757
Anmeldetag: 10. August 2023
Veröffentlichung: 10. Juli 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/423H10B41/30H01L21/28H01L29/788

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: GlobalFoundries U.S. Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 GlobalFoundries U.S.

US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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