Verfahren zum Übertragen einer Nutzschicht auf eine Stirnseite eines Trägersubstrats

EP4399738 Art A1 17. Juli 2024

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4399738
Aktenzeichen: EP22765845
Anmeldetag: 17. August 2022
Veröffentlichung: 17. Juli 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/18H01L21/762H10N30/072H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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