Chipgehäusestruktur und Herstellungsverfahren dafür sowie Elektronische Vorrichtung
EP4401078
Art B1
15. Januar 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4401078
- Aktenzeichen
- EP22871070
- Anmeldetag
- 25. November 2022
- Veröffentlichung
- 15. Januar 2025
- Erteilung
- 15. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/065H01L21/48H01L21/56H01L23/00H01L23/31H01L23/498H01L23/538H01L23/552H01L25/00H01L25/10// G11C5/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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