Suche nach der Besten Lesereferenzspannung eines 3D-Nand-Speichers

EP4405951 Art B1 16. Juli 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4405951
Aktenzeichen
EP22868452
Anmeldetag
14. Dezember 2022
Veröffentlichung
16. Juli 2025
Erteilung
16. Juli 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G11C11/56G11C16/04G11C16/26G11C16/34G11C29/02G06F3/06
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

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