Ic-Vorrichtung mit Vertikal Gradiertem Silizium-Germanium-Bereich Neben dem Vorrichtungskanal und Verfahren zur Formung

EP4407687 Art B1 19. November 2025

Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4407687
Aktenzeichen: EP23197357
Anmeldetag: 14. September 2023
Veröffentlichung: 19. November 2025
Erteilung: 19. November 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D64/27H10D62/17H10D30/67

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: GlobalFoundries U.S. Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 GlobalFoundries U.S.

US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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