Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4411789
- Aktenzeichen
- EP23154649
- Anmeldetag
- 2. Februar 2023
- Veröffentlichung
- 13. August 2025
- Erteilung
- 13. August 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/306
Abstract
Verfahren zum Reinigen einer Vorderseite und einer Rückseite einer Halbleiterscheibe umfassend in gegebener Reihenfolge: die Reinigung der Vorderseite der Halbleiterscheibe enthaltend in gegebener Reihenfolge: (1) Vorreinigungsschritt mit Wasser, so dass die Vorderseite noch nass ist, während der nächste Reinigungsschritt beginnt, (2) ein erster Reinigungsschritt zum Reinigen mit ozonisiertem Wasser und anschließendem Spülschritt mit gereinigtem Wasser, (3) ein zweiter Reinigungsschritt, der einen Behandlungsschritt mit ozonisiertem Wasser enthält, der gefolgt wird von einem Behandlungsschritt mit einer HF enthaltenden Flüssigkeit, (4) ein dritter Reinigungsschritt zum Reinigen mit ozonisiertem Wasser und an-schließendem Spülschritt mit gereinigtem Wasser, die gemeinsame Reinigung der Vorderseite und der Rückseite der Halbleiterscheibe enthaltend: einen vierten Reinigungsschritt, der einen Behandlungsschritt mit ozonisiertem Wasser enthält, der gefolgt wird von einem Behandlungsschritt mit einer HF enthaltenden Flüssigkeit, und einen Trocknungsschritt, bei dem beide Seiten der Halbleiterscheibe getrocknet werden.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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