Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Elektrisch Isolierenden Struktur in einem Graben
EP4411822
Art A1
7. August 2024
Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4411822
- Aktenzeichen
- EP23154769
- Anmeldetag
- 2. Februar 2023
- Veröffentlichung
- 7. August 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L21/762H01L29/40H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies Austria AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇦🇹
Infineon Technologies Austria
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
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Vertreten von
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JENSEN & SON
JENSEN & SON · London