Doppelgate-Halbleiterstrukturen für Leistungsanwendungen

EP4411825 Art A3 13. November 2024

Anmelder: Qorvo US, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4411825
Aktenzeichen: EP24151011
Anmeldetag: 9. Januar 2024
Veröffentlichung: 13. November 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/40H01L29/417H01L29/423H01L21/338H01L29/778H01L29/10H01L23/31// H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Qorvo US, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Qorvo US

Qorvo US ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in North Carolina, spezialisiert auf HF-Bauelemente für Mobilfunk und Netzwerktechnik. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Schaltungstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2011 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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