Halbleiterstruktur und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP4412422
Art A1
7. August 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4412422
- Aktenzeichen
- EP22884864
- Anmeldetag
- 5. Januar 2022
- Veröffentlichung
- 7. August 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00H10W10/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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