Schreibcacheschaltung, Datenschreibverfahren und Speicher
EP4414854
Art A1
14. August 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4414854
- Aktenzeichen
- EP22882329
- Anmeldetag
- 24. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 14. August 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F12/0877
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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