Speicherstruktur und Speicher

EP4418269 Art A1 21. August 2024

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4418269
Aktenzeichen
EP22885057
Anmeldetag
12. Mai 2022
Veröffentlichung
21. August 2024
Rechtsraum
EP
IPC
G11C29/00G11C5/02// G11C7/10G11C7/12G11C7/18G11C8/08G11C8/14
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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