Saatsubstrat für Epitaktisches Wachstum und Verfahren zur Herstellung davon sowie Halbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung davon
EP4424888
Art A1
4. September 2024
Anmelder: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4424888
- Aktenzeichen
- EP22886382
- Anmeldetag
- 23. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 4. September 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/18C04B35/581C04B41/87C30B29/40H01L21/20C30B33/06C04B41/00C04B41/52C04B41/89H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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