Verfahren zur Herstellung eines Trägersubstrats mit einer Ladungseinfangschicht

EP4430652 Art B1 6. August 2025

Anmelder: SOITEC, Applied Materials Inc; 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4430652
Aktenzeichen: EP22802685
Anmeldetag: 25. Oktober 2022
Veröffentlichung: 6. August 2025
Erteilung: 6. August 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SOITEC
Applied Materials Inc;
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von